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电子元器件、配件及通讯
二极管、晶体管和晶闸管
晶体管
用于电机驱动器的Din-Tek dq6d408双通道Mosfet 40V 45A晶体管Mosfet
暂无评价
Shenzhen City Shang Ding Xin Technology Co., Ltd
3 yrs
CN
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重要属性
型号
DTQ6D408
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Din-Tek
封装类型
表面贴片封装
描述
DTQ6D408
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
DFN5X6
工作环境温度
25 ° C-150 °C
系列
DFN5X6
D/C
标准
应用
电源开关电路
供应类型
原始制造商, ODM, 代理机构
可参考资料
数据表, 照片
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
电流 - 集电极截止(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
配置
标准
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
漏极电流(Id) - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
标准
电阻 - RDS(开)
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移(Vt)
标准
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
标准
电流 - 谷值(Iv)
标准
电流 - 峰值
标准
安装类型
表面贴装
包装
DFN5X6
VDS (V)
40
VGS ±(V)
20
VGS(th)(V)
1.6
VGS = 4.5v时的RDS(ON) (m Ω)
9.6
VGS = 10v时的RDS(ON) (m Ω)
7.8
ID (A)
45
提前期
3-5天
品牌
Din-tek半导体
应用程序
电源/DC转换器/电池管理
包装和发货信息
包装细节
用于电机驱动器的Din-Tek dq6d408双通道Mosfet 40V 45A晶体管Mosfet
发货港口
Shenzhen/Hong kong
销售单位
Single item
单个包装尺寸
15X15X15 cm
单个产品毛重
0.500 KG
供应能力
供应能力
10000 pieces 按照 Week
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 10000
> 10000
美国东部时间(天)
7
待定
定制选项
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警告/免责声明
加州65号提案消费者提示
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